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季尚司 , 左然 , 苏文佳 , 韩江山
人工晶体学报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.
关键词: 铸造多晶硅 , 杂质传输 , Si3N4涂层 , 数值模拟
